特点一：浮动硅电容芯片

 采用之一的富士三代浮动膜盒技术，如图所示：被测差压通过导压管进入变送器的高低压保护室，保护室起到瞬间过压保护作用，差压信号通过毛细血管进入测量室再作用到测量膜片和浮动膜片上，随着外加差压的变化

 测量膜片产生与差压成比例的微小位移。硅膜片的作用相当于差动电容中的活动电极。在正常输入差压作用下，浮动膜片基本上是不动的，当检测部件一侧承受单向过载压力时，浮动膜片产生位移，这样就使用测量膜片的变形量减小。由于检测部件的核心体是随单向过载压力浮动的，因此，在承受单向压力时隔离膜片与基座波纹间被挤出的充灌液被吸收，测量膜片不会紧贴到对面的球形固定电极上，而是隔离膜片紧贴在与其吻合的基座保护波纹上不再移动。同时测量膜片和外壳没有应力的连接，使得变送器的长期稳定性得到大幅度提高。这就是富士公司的单向保护、浮动膜盒机构。

特点二:优异的技术指标

 可工作在微微差压:1～10Pa；长期稳定性：差压长漂0.1%/10年；超宽测量范围:差压1200:1；流量30:1以上;

特点三:

 可测量多个参数(差压、压力、温度、环境温度)，在变送器内依据GB/T2624直接运算，同时数字通讯多个参数。允许双向计量、协议计量、蒸汽品质甄别、干度补偿、流出系数多段补偿等专业功能；

用途

 可应用于几乎所有差压式流量计，如孔板、喷嘴、V锥、弯管、巴类流量计等。

精度

精度  型谱