6分钟前 拉丝面曝光显影厂货真价实 利成感光五金厂[利成感光38dbdb8]内容:曝光不足,导致单体聚合不,那么在显影过程中,会使的胶膜变软,线条不清晰,色泽暗淡,脱胶。曝光过度,会造成难显影,留有残胶。同时曝光影响图案的线宽,过量曝光会使图形线条变细,蚀刻产品线条变粗。
曝光显影工艺主要应用于微电子加工中,是一种将芯片图案传递到硅片上的技术。
曝光显影工艺可以分为以下步骤:准备硅片:在硅片上涂覆光刻胶,将硅片和光刻胶一起加热,使其在表面形成均匀的光刻胶层。
曝光:使用紫外线曝光机将掩膜上的图案投射到光刻胶上。显影:使用显影液将未曝光的光刻胶清除掉,将芯片图案暴露出来将显影液涂覆在曝光后的晶圆表面上,正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域溶于显影液中,进一步将反应聚合物和显影液残留冲洗后,就可以显现出光刻胶中的图形,曝光一般在曝光机内进行,目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷,显影液表面停留(puddle):为了让显影液与光刻胶进行充分反应,显影液喷淋后需要在硅片表面停留一般为几十秒到一两分钟。从而形成可见的图片。而在数字摄影中,曝光则是相机中的数字传感器接收到光线所对应的信息,并记录下来,再通过数字信号处理,将其转化为图片的过程。甩干(spin dry):为了将表面的去离子水甩干,将硅片转到高转速曝光显影可以制造微小的电容、电阻、晶体管、发光二极管或太阳能电池等晶体管器件,快速将电信号转变为其他形式的能量。曝光显影技术可以制造出高精度微纳米级别下的芯片制造工艺,大大提高了芯片质量及其可靠性。预喷淋(pre-wet):为了提高后面显影液在硅片表面的附着性能,先在硅片表面喷上一点去离子水(Deionizedwater,DIW)。